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SIZ710DT-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-PowerPair?
數(shù)量：: 19919
說明：: MOSFET 20V 16A / 35A N-CH MOSFET

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SIZ710DT-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIZ710DT-GE3
功率耗散：27 W, 48 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：11.5 nC, 38 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：45 S, 85 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAIR 6 x 3.7
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0055 Ohms, 0.0027 Ohms
漏極連續(xù)電流：16 A, 35 A
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIZ710DT-T1-GE3的詳細信息，包括SIZ710DT-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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