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SIZ910DT-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-PowerPair?（6x5）
數(shù)量：: 8397
說明：: MOSFET 30V 40A / 40A Dual N-Ch MOSFET

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SIZ910DT-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIZ910DT-GE3
上升時間：25 ns, 35 ns
功率耗散：4.6 W, 5.2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：94 S, 140 S
下降時間：10 ns, 12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAIR 6 x 5
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0058 Ohms, 0.003 Ohms
漏極連續(xù)電流：22 A, 32 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ910DT-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIZ910DT-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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