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SIZ900DT-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 6-PowerPair?
數(shù)量：
 8370  
說明：
 MOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V
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SIZ900DT-T1-GE3-6-PowerPair?圖片

SIZ900DT-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIZ900DT-GE3
功率耗散：48 W, 100 W
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAIR
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Common Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：5.9 mOhms, 3.2 mOhms
漏極連續(xù)電流：24 A, 28 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ900DT-T1-GE3的詳細信息，包括SIZ900DT-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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