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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SIZ728DT-T1-GE3

SIZ728DT-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-PowerPair?
數(shù)量：: 8343
說明：: MOSFET 25V 16A / 35A N-Ch MOSFET

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SIZ728DT-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIZ728DT-GE3
上升時(shí)間：15 ns, 18 ns
功率耗散：2.5 W, 3 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：37 S, 80 S
下降時(shí)間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAIR 6 x 3.7
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0077 Ohms, 0.0035 Ohms
漏極連續(xù)電流：14.2 A, 23 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ728DT-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIZ728DT-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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