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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SIZ916DT-T1-GE3

SIZ916DT-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-PowerPair?（6x5）
數(shù)量：: 8406
說明：: MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV

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SIZ916DT-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：23 ns, 66 ns
商標(biāo)名：TrenchFET Gen IV
上升時(shí)間：20 ns, 83 ns
功率耗散：22.7 W, 100 W
柵極電荷 Qg：7.2 nC, 45 nC
下降時(shí)間：5 ns, 10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAIR 6 x 5
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.3 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：16 A, 40 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ916DT-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIZ916DT-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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