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SIZ902DT-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-PowerPair?（6x5）
數(shù)量：: 8379
說明：: MOSFET 30V 16/16A 29/66W 12/6.4mOhms @ 10V

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SIZ902DT-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIZ902DT-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：20 nS, 35 nS
上升時間：12 nS, 10 nS
功率耗散：66 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：6.8 nC, 21 nC
下降時間：10 nS, 10 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAIR-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.012 Ohms at 10 V, 0.0064 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：16 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ902DT-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIZ902DT-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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