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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SIZ730DT-T1-GE3

SIZ730DT-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-PowerPair?
數(shù)量：: 2776
說明：: MOSFET 30V 16/35A 27/48W 9.3/3.9mohm @ 10V

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SIZ730DT-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIZ730DT-GE3
上升時間：15 ns
功率耗散：3.9 W, 4.6 W
柵極電荷 Qg：15.6 nC, 43 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：48 S, 80 S
下降時間：7 ns, 10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAIR
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0075 Ohms, 0.0032 Ohms
漏極連續(xù)電流：12.9 A, 26.4 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIZ730DT-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIZ730DT-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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