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IPB043N10NF2SATMA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO263-3
數(shù)量：
 2034  
說明：
 AUTOMOTIVE MOSFET
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IPB043N10NF2SATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），167W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：4000 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：85 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 93μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.35 毫歐 @ 80A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：21A（Ta），135A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：StrongIRFET? 2
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IPB043N10NF2SATMA1的詳細(xì)信息，包括IPB043N10NF2SATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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