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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SIZ300DT-T1-GE3

SIZ300DT-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-PowerPair?
數(shù)量：: 8333
說明：: MOSFET 30V 11A/28A 16.7/31W 24mohm/11mohm @ 10V

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SIZ300DT-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIZ300DT-GE3
上升時間：45 ns, 80 ns
功率耗散：3.7 W, 4.2 W
柵極電荷 Qg：7.4 nC, 14.2 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：30 S
下降時間：10 ns, 40 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAIR
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.02 Ohms, 0.009 Ohms
漏極連續(xù)電流：9.8 A, 14.9 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIZ300DT-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIZ300DT-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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