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SQM120N04-1M7L-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 1500
說(shuō)明：: MOSFET 40V 120A 375W NCh Automotive

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SQM120N04-1M7L-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：74 ns
上升時(shí)間：10 ns
功率耗散：375 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：190 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：212 S
下降時(shí)間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0015 Ohms
漏極連續(xù)電流：120 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SQM120N04-1M7L-GE3的詳細(xì)信息，包括SQM120N04-1M7L-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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