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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SQM40N15-38-GE3

SQM40N15-38-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 2646
說明：: MOSFET 150V 40A 166W N-Ch Automotive

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SQM40N15-38-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：24 nS
上升時間：17 nS
功率耗散：166 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：46 nC
下降時間：9 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.038 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：40 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQM40N15-38-GE3的詳細(xì)信息，包括SQM40N15-38-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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