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SQM200N04-1M8_GE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: TO-263-7
數(shù)量：: 7659
說明：: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7

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SQM200N04-1M8_GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：375W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：17350 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：310 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.8 毫歐 @ 30A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：200A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Vishay Siliconix

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