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SQM200N04-1M1L-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-7L
數(shù)量：: 9776
說明：: MOSFET 40V 200A, 375W Automotive

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SQM200N04-1M1L-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：665 ns
商標名：TrenchFET
上升時間：18 ns
功率耗散：375 W
柵極電荷 Qg：413 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：219 S
下降時間：189 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263-7L
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0011 Ohms
漏極連續(xù)電流：200 A
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQM200N04-1M1L-GE3的詳細信息，包括SQM200N04-1M1L-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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