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SQM40N10-30-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 2637
說明：: MOSFET 100V 40A 107W 30mohm @ 10V

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SQM40N10-30-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：800
功率耗散：107 W
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.03 Ohms
漏極連續(xù)電流：40 A
閘/源擊穿電壓：3.5 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQM40N10-30-GE3的詳細(xì)信息，包括SQM40N10-30-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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