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SQM110P04-04L-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 2619  
說明:
 MOSFET P-CH 40V 120A TO263
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SQM110P04-04L-GE3-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

SQM110P04-04L-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:120A
Id 時的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:330nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :13980pF @ 20V
功率 - 最大:375W
安裝類型:表面貼裝

以上是SQM110P04-04L-GE3的詳細(xì)信息,包括SQM110P04-04L-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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