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SIHG47N60S-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-247AC
數(shù)量：: 1285
說明：: MOSFET N-CHANNEL 600V

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SIHG47N60S-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：417 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：216 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：7.5 S
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247AC
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.057 Ohms
漏極連續(xù)電流：47 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG47N60S-E3的詳細信息，包括SIHG47N60S-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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