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SIHP10N40D-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220AB
數(shù)量：: 5013
說明：: MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS

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SIHP10N40D-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：147 W
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：600 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：10 A
閘/源擊穿電壓：5 V
汲極/源極擊穿電壓：400 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHP10N40D-E3的詳細(xì)信息，包括SIHP10N40D-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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