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SIHP12N60E-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數量:
 5040  
說明:
 MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS
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SIHP12N60E-GE3-TO-220-3圖片

SIHP12N60E-GE3 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-220AB-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):380 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:12 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP12N60E-GE3的詳細信息,包括SIHP12N60E-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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