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SIHP12N50C-E3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-220-3
數(shù)量：
 6309  
說明：
 MOSFET N-Channel 500V
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SIHP12N50C-E3-TO-220-3圖片

SIHP12N50C-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：208 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：3 S
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.46 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 A
閘/源擊穿電壓：500 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIHP12N50C-E3的詳細(xì)信息，包括SIHP12N50C-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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