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SIHG73N60E-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-247AC
數(shù)量:
 5004  
說明:
 MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
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SIHG73N60E-GE3-TO-247AC圖片

SIHG73N60E-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

功率耗散:520 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-247AC-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):39 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:73 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHG73N60E-GE3的詳細信息,包括SIHG73N60E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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