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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 4482
說明：: MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

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SIHB12N60E-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：35 ns
上升時間：38 ns
功率耗散：147 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：58 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：3.8 S
下降時間：38 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK (TO-263)
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：380 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHB12N60E-GE3的詳細(xì)信息，包括SIHB12N60E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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