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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SIHB22N60S-E3

SIHB22N60S-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 765
說明：: MOSFET 600V N-Channel Superjunction D2PAK

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SIHB22N60S-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：77 ns
上升時間：68 ns
功率耗散：227 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：75 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：9.4 S
下降時間：59 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：D2PAK-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.18 Ohms
漏極連續(xù)電流：21 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHB22N60S-E3的詳細(xì)信息，包括SIHB22N60S-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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