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SIHB18N60E-GE3

廠家:
  Vishay Siliconix
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 6894  
說明:
 MOSFET N-CH 600V 18A TO263
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SIHB18N60E-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
封裝/外殼:TO-263(D2Pak)
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
同步整流器:179W(Tc)
頻率 - 開關(guān):-
電流 - 輸出:1640 pF @ 100 V
電壓 - 輸出(最大值):±30V
電壓 - 輸出(最小值/固定):92 nC @ 10 V
電壓 - 輸入(最大值):4V @ 250μA
電壓 - 輸入(最小值):202 毫歐 @ 9A,10V
輸出數(shù):10V
輸出類型:18A(Tc)
拓撲:600 V
輸出配置:MOSFET(金屬氧化物)
功能:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:管件
品牌:Vishay Siliconix

以上是SIHB18N60E-GE3的詳細信息,包括SIHB18N60E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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