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SIHB180N60E-GE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 7119
說明：: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK

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SIHB180N60E-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
封裝/外殼：D2PAK（TO-263）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
同步整流器：156W（Tc）
頻率 - 開關：-
電流 - 輸出：1085 pF @ 100 V
電壓 - 輸出（最大值）：±30V
電壓 - 輸出（最小值/固定）：33 nC @ 10 V
電壓 - 輸入（最大值）：5V @ 250μA
電壓 - 輸入（最小值）：180 毫歐 @ 9.5A，10V
輸出數(shù)：10V
輸出類型：19A（Tc）
拓撲：600 V
輸出配置：MOSFET（金屬氧化物）
功能：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：E
系列：散裝
品牌：Vishay Siliconix

以上是SIHB180N60E-GE3的詳細信息，包括SIHB180N60E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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