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SIHB12N60ET1-GE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 2835
說明：: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

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SIHB12N60ET1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
封裝/外殼：D2PAK（TO-263）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
同步整流器：147W（Tc）
頻率 - 開關(guān)：-
電流 - 輸出：937 pF @ 100 V
電壓 - 輸出（最大值）：±30V
電壓 - 輸出（最小值/固定）：58 nC @ 10 V
電壓 - 輸入（最大值）：4V @ 250μA
電壓 - 輸入（最小值）：380 毫歐 @ 6A，10V
輸出數(shù)：10V
輸出類型：12A（Tc）
拓?fù)洌?00 V
輸出配置：MOSFET（金屬氧化物）
功能：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：E
系列：散裝
品牌：Vishay Siliconix

以上是SIHB12N60ET1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIHB12N60ET1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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