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SI5513CDC-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 1206-8 ChipFET?
數(shù)量：: 6030
說明：: MOSFET 20V 4A/3.7A N/P-CH COMPLIMENTARY MOSFET

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SI5513CDC-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI5513CDC-GE3
功率耗散：3.1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：2.8 nC, 3.9 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：5 S, 12 S
包裝形式：Reel
封裝形式：1206-8 ChipFET
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：55 mOhms, 150 mOhms
漏極連續(xù)電流：4 A, 2.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI5513CDC-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI5513CDC-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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