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SI5515CDC-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 1206-8 ChipFET?
數(shù)量：: 6048
說明：: MOSFET 20V 4A / 4A N & P-CH MOSFET

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SI5515CDC-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI5515CDC-GE3
功率耗散：3.1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：7.5 nC, 7 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：9.5 S, 22.4 S
包裝形式：Reel
封裝形式：1206-8 ChipFET
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：36 mOhms, 100 mOhms
漏極連續(xù)電流：4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI5515CDC-T1-GE3的詳細信息，包括SI5515CDC-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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