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SI5513DC-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 1206-8 ChipFET
數(shù)量：: 180
說明：: MOSFET 20V 4.2/2.9A

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SI5513DC-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：19 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
商標名：TrenchFET
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：35 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：35 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：1206-8 ChipFET
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：75 mOhms, 155 mOhms
漏極連續(xù)電流：4.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5513DC-T1的詳細信息，包括SI5513DC-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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