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SI5515CDC-T1-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 1206-8 ChipFET?
數(shù)量:
 4995  
說(shuō)明:
 MOSFET 20V 4.0A 3.1W 36/100mohm @ 4.5V
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SI5515CDC-T1-E3-1206-8 ChipFET?圖片

SI5515CDC-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:SI5515CDC-E3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
工廠包裝數(shù)量:3000
功率耗散:3.1 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:1206-8 ChipFET
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):36 mOhms, 100 mOhms
漏極連續(xù)電流:4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI5515CDC-T1-E3的詳細(xì)信息,包括SI5515CDC-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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