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SI5519DU-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK-8 ChipFET Dual
數(shù)量：: 8307
說明：: MOSFET 20V 6.0A 10.4W

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SI5519DU-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI5519DU-E3
典型關閉延遲時間：22 ns, 25 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：15 ns, 11 ns
功率耗散：2.27 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：6 ns, 8.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK-8 ChipFET Dual
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：36 mOhms, 64 mOhms
漏極連續(xù)電流：6 A, 4.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5519DU-T1-E3的詳細信息，包括SI5519DU-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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