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SI5511DC-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 1206-8 ChipFET?
數量：: 6021
說明：: MOSFET N/P-CH 30V 1206-8

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SI5511DC-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：N 和 P 溝道
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：55 毫歐 @ 4.8A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：4A, 3.6A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：7.1nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：435pF @ 15V
功率 - 最大：3.1W, 2.6W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI5511DC-T1-GE3的詳細信息，包括SI5511DC-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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