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IXFN80N60P3

廠家：: IXYS
封裝：: SOT-227B
數(shù)量：: 6471
說明：: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

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IXFN80N60P3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：960W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：13100 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：190 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：70 毫歐 @ 40A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：66A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：HiPerFET?, Polar3?
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXFN80N60P3的詳細信息，包括IXFN80N60P3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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