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首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFN90N30

IXFN90N30

廠(chǎng)家：: Ixys
封裝：: SOT-227B
數(shù)量：: 5436
說(shuō)明：: MOSFET 90 Amps 300V 0.033 Rds

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IXFN90N30 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：100 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量：10
上升時(shí)間：55 ns
功率耗散：560 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：40 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227B
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.033 Ohms
漏極連續(xù)電流：90 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：300 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN90N30的詳細(xì)信息，包括IXFN90N30廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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