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IXFN82N60P

廠家:
  Ixys
封裝:
 SOT-227-4,miniBLOC
數(shù)量:
 5427  
說(shuō)明:
 MOSFET DIODE Id82 BVdass600
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IXFN82N60P-SOT-227-4,miniBLOC圖片

IXFN82N60P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:79 ns
工廠包裝數(shù)量:10
上升時(shí)間:23 ns
功率耗散:1040 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :80 s
下降時(shí)間:24 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOT-227B
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.75 Ohms
漏極連續(xù)電流:82 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:IXYS

以上是IXFN82N60P的詳細(xì)信息,包括IXFN82N60P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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