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IXFP10N60P

廠家：: Ixys
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 1874
說明：: MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600

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IXFP10N60P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：65 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：27 ns
功率耗散：200 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：11 s
下降時間：21 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.74 Ohms
漏極連續(xù)電流：10 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：IXYS

以上是IXFP10N60P的詳細信息，包括IXFP10N60P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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