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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227B
數(shù)量：: 8775
說明：: MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A

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IXFN82N60Q3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時間：300 ns
功率耗散：960 W
柵極電荷 Qg：275 nC
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：75 mOhms
漏極連續(xù)電流：66 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN82N60Q3的詳細(xì)信息，包括IXFN82N60Q3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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