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STI11NM65N

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-262
數(shù)量：: 7488
說明：: MOSFET N-Channel 600V Pwr Mosfet

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STI11NM65N PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：55 ns
上升時間：13 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：20 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.38 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STI11NM65N的詳細信息，包括STI11NM65N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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