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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STI13NM60N

STI13NM60N

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: -
數(shù)量：: 3744
說明：: MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

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STI13NM60N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：30 ns
上升時(shí)間：8 ns
功率耗散：90 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：30 nC
下降時(shí)間：10 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：360 mOhms
漏極連續(xù)電流：11 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STI13NM60N的詳細(xì)信息，包括STI13NM60N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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