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STI12N65M5

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: I2PAK
數(shù)量：: 3987
說(shuō)明：: MOSFET N-channel 650 V 0.39 Ohm 8.5 A MDmesh

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STI12N65M5 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時(shí)間：17.6 ns
功率耗散：70 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：20 nC
下降時(shí)間：15.6 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：430 mOhms
漏極連續(xù)電流：8.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STI12N65M5的詳細(xì)信息，包括STI12N65M5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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