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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STI11NM80

STI11NM80

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: I2PAK（TO-262）
數(shù)量：: 3708
說明：: MOSFET N-Ch 800V 0.35 Ohm 11 A MDmesh

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STI11NM80 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：150 W
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流：8 A
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STI11NM80的詳細(xì)信息，包括STI11NM80廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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