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SIHG460B-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-247-3
數(shù)量:
 4959  
說明:
 MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS
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SIHG460B-GE3-TO-247-3圖片

SIHG460B-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

上升時間:31 ns
功率耗散:278 mW
柵極電荷 Qg:85 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :12 S
下降時間:56 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-247 AC
安裝風(fēng)格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):250 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:20 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHG460B-GE3的詳細(xì)信息,包括SIHG460B-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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