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NTD4969N-35G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-Pak
數(shù)量：: 6867
說明：: MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH

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NTD4969N-35G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：1.38 W, 2.56 W, 26.3 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：9 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：36 s
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK Trimmed
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：19 mOhms
漏極連續(xù)電流：12.7 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4969N-35G的詳細(xì)信息，包括NTD4969N-35G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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