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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NTD4970N-1G

NTD4970N-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: IPAK
數(shù)量：: 3900
說(shuō)明：: MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM

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NTD4970N-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時(shí)間：27.6 ns
功率耗散：2.55 W
柵極電荷 Qg：8.2 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：34 S
下降時(shí)間：5.7 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：21 mOhms
漏極連續(xù)電流：11.6 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4970N-1G的詳細(xì)信息，包括NTD4970N-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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