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NTD4970N-35G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 I-Pak
數(shù)量:
 3825  
說明:
 MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM
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NTD4970N-35G-I-Pak圖片

NTD4970N-35G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

上升時間:27.6 ns
功率耗散:2.55 W
柵極電荷 Qg:8.2 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :34 S
下降時間:5.7 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:IPAK Trimmed
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):21 mOhms
漏極連續(xù)電流:11.6 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NTD4970N-35G的詳細(xì)信息,包括NTD4970N-35G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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