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NTD4979N-35G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-PAK
數(shù)量：: 7308
說明：: MOSFET

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NTD4979N-35G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：2.56 W
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：9 mOhms
漏極連續(xù)電流：9 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4979N-35G的詳細信息，包括NTD4979N-35G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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