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NTD4963N-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: IPAK
數(shù)量：: 10040
說明：: MOSFET NFET IPAK 30V 44A 9.6MOHM

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NTD4963N-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：14 ns
上升時(shí)間：20 ns
功率耗散：35.7 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：8.1 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：40 S
下降時(shí)間：3 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：13.6 mOhms
漏極連續(xù)電流：44 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4963N-1G的詳細(xì)信息，包括NTD4963N-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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