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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFN180N20

IXFN180N20

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227B
數(shù)量：: 4725
說明：: MOSFET 200V 180A

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IXFN180N20 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：180 ns
工廠包裝數(shù)量：10
上升時(shí)間：85 ns
功率耗散：700 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：80 s
下降時(shí)間：56 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227B
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.006 Ohms
漏極連續(xù)電流：180 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：IXYS

以上是IXFN180N20的詳細(xì)信息，包括IXFN180N20廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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