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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFN20N120P

IXFN20N120P

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227B
數(shù)量：: 4770
說明：: MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds

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IXFN20N120P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：72 ns
工廠包裝數(shù)量：10
上升時(shí)間：45 ns
功率耗散：595 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：70 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227B
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.57 Ohms
漏極連續(xù)電流：20 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：1200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN20N120P的詳細(xì)信息，包括IXFN20N120P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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