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IXFN20N120

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227B
數(shù)量：: 4761
說明：: MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds

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IXFN20N120 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：75 ns
工廠包裝數(shù)量：10
上升時間：45 ns
功率耗散：780 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：20 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227B
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.75 Ohms
漏極連續(xù)電流：20 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：1200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN20N120的詳細信息，包括IXFN20N120廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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