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IXFN21N100Q

廠家：
  Ixys
封裝：
 SOT-227B
數(shù)量：
 4788  
說(shuō)明：
 MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds
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IXFN21N100Q-SOT-227B圖片

IXFN21N100Q PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：60 ns
工廠包裝數(shù)量：10
上升時(shí)間：18 ns
功率耗散：520 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：12 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227B
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.5 Ohms
漏極連續(xù)電流：21 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN21N100Q的詳細(xì)信息，包括IXFN21N100Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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